特許

J-GLOBAL ID：201103035908187786

プレバイアスされた内部電子ポテンシャルを有する量子カスケード光エミッタ

発明者： フェデリコ キャパソ ,  アルフレッド イー. チョー ,  クライア エフ. グマッチル ,  アルバート リー ハッチンソン ,  デボラー リー シヴコ ,  アレッサンドロ トレディクッチ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外10名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268019
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101201
特許番号：特許第3522606号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数のくり返しユニットを含み、各くり返しユニットはユニポーラ放射遷移(RT)SL領域及び注入/緩和(I/R)領域を含み、前記RTSL領域のそれぞれは複数の障壁層ではさまれた複数の量子井戸(QW)層を含み、前記QW層は上方及び下方ミニバンドを特徴とするエネルギー状態をもつQC活性領域を含むコア領域、及び前記ミニバンド内の上方及び下方エネルギーレベルにより決まるエネルギーにおいて、前記RT領域に光を発生させるのに効果的であるように、前記エミッタに電界を印加するための電極を含み、前記QW層の少なくとも第1のサブセット内で、内部の電子的ポテンシャルをプレバイアスし、それによって前記SL内で前記印加電界が存在するにもかかわらず、前記上方及び下方ミニバンドの両方の本質的なフラットバンド条件が存在することを特徴とする量子カスケード(QC)超格子(SL)光エミッタ。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S 5/343

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 量子カスケードレーザを有する製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-065782   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-199944   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 量子カスケードレーザを有する物品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280322   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 単極性半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-078049   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション