特許
J-GLOBAL ID：201103036000732891
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-561287
特許番号：特許第4056392号
出願日： 2001年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一対の駆動用MISFETおよび一対の負荷用MISFETからなる一対のインバータと、一対の転送用MISFETとを有し、前記一対の駆動用MISFETのそれぞれのゲート電極とドレインとが交差接続されたメモリセルを有する半導体集積回路装置であって、
前記nチャネル型MISFET上に形成された層間絶縁膜と、
前記ゲート電極とドレインとを接続する一対の第1の導電層であって、前記ゲート電極からドレインまで延在する接続孔内に形成され、前記層間絶縁膜の表面より突出した突出部を有する一対の第1の導電層と、
前記導電層の上部および突出部の側壁に沿って形成された容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜上に形成された上部電極と、
前記pチャネル型MISFETのソースと電気的に接続される第2の導電層であって、前記上部電極とその側壁で接続する第2の導電層と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8244 ( 200 6.01)
, H01L 27/11 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
H01L 27/10 381
, H01L 27/10 491
