半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026604
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】記憶ノード容量を増加してソフトエラー耐性を向上することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】記憶ノード部11c、11dを含む第1の配線層上に誘電体膜12を介してGND配線14bを形成する。それにより、記憶ノード部11c、11dと、誘電体膜12と、GND配線14bとによって記憶ノード部の容量素子を構成する。また、第1の配線層をメモリセルの中心に対して点対称に配置するとともに、メモリセルをワード線5a、5dの延びる方向に、同一のレイアウトで隣接して複数個配置する。

請求項（抜粋）：

メモリセルを含む半導体装置であって、半導体基板上に形成された、高抵抗配線部と記憶ノード部とを含む第1の配線層と、前記第1の配線層上に誘電体膜を介在して形成されたGND配線層とを備え、前記第1の配線層の記憶ノード部と前記GND配線層と前記誘電体膜とによって前記記憶ノード部の容量素子が構成されており、前記第1の配線層は、前記メモリセルの中心に対して点対称に配置されており、前記メモリセルは、ワード線の延びる方向に、同一のレイアウトで隣接して複数個配置されている、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-121357 出願人：日本電気株式会社
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-005183 出願人：ソニー株式会社
特開平1-273348

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