特許
J-GLOBAL ID：201103036066068895

ウエハー保持装置

発明者：
茅本 隆司

茅本 隆司 について

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立川 俊洋

立川 俊洋 について

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井口 忠士

井口 忠士 について


出願人/特許権者：
日本発条株式会社

日本発条株式会社 について


代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388791
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188240
特許番号：特許第4124589号
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体製造において使用されるウエハー保持装置であって、 金属製基材と、前記金属製基材の主面と当該主面とは相反する裏面にそれぞれ設けられた各複合材と、ウエハーを保持する面を形成するべく前記金属製基材の主面側に設けられた複合材に積層されたセラミックス層とを有し、 前記複合材が、金属の母相中に少なくともセラミックスの粒子・繊維・多孔質体が内蔵された複合材料であり、かつ前記金属製基材にろう付けにより接合され、 前記金属製基材の主面に設けられた前記複合材の金属とセラミックスとの複合比率が、前記複合材と前記セラミックス層との熱膨張率が前記金属製基材の主面への接合時に前記セラミックス層に発生する応力を緩和する値になるように調整され、 前記金属製基材の裏面に設けられた前記複合材の金属とセラミックスとの複合比率が、前記金属製基材と前記各複合材と前記セラミック層との全体の使用状態での熱膨張率のバランスを取るべく、前記金属製基材の主面側よりも裏面側の温度が低い状態で使用される場合には前記金属製基材の裏面に設けられた前記複合材の熱膨張率を大きくし、逆の場合には前記金属製基材の裏面に設けられた前記複合材の熱膨張率を小さくするように調整されていることを特徴とするウエハー保持装置。
IPC (1件)：
H01L 21/683 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 21/68 N
引用特許：
審査官引用 (4件)
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