不揮発性メモリ装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027397
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040807
特許番号：特許第3934272号
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に活性領域を限定しマトリックス形に配列され、行方向を長さ方向とする形状の素子分離膜を形成する段階と、前記限定された活性領域上に対応させて行方向に延びた形状にトンネリング絶縁膜を介在する帯状の複数個のフローティングゲート膜を形成する段階と、前記マトリックスの列方向に隣接した複数個のフローティングゲート膜及び前記素子分離膜を列方向に横切って各々分割して分離させる共通ソース領域を前記半導体基板に形成する段階と、前記分離されたフローティングゲート膜上を含む全面にゲート間絶縁膜及びコントロールゲート膜を形成する段階と、前記コントロールゲート膜、下部の前記ゲート間絶縁膜及び前記分離されたフローティングゲート膜をパターニングしてコントロールゲート、ゲート間絶縁膜、及びフローティングゲートを完成し、各フローティングゲートは共通ソース領域を挟んで行方向に隣接した2つでフローティングゲート対を構成するとともに、各コントロールゲートは共通ソース領域と平行し列方向に隣接したフローティングゲート対と重畳させる段階と、前記フローティングゲート対の共通ソース領域側と対向するそれぞれの片側末端に隣接する前記活性領域に連結されるビットラインを形成する段階とを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ( 200 6.01) , H01L 27/115 ( 200 6.01) , H01L 29/792 ( 200 6.01) , H01L 29/788 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-025979
特開昭63-025979
特開昭61-050369

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