特許
J-GLOBAL ID：201103036389088445
埋設界面の深さを測定する非破壊的方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001299
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260876
特許番号：特許第3072734号
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基体の表面下に埋設された領域の頂部の深さを測定する非破壊的方法であって、測定されるべき前記埋設された領域を内蔵する半導体基体を赤外線で照射するステップと、前記半導体基体から戻ってきた信号を検出し、そのスペクトル内容をフーリエ解析により解析して、波数1020を中心とする吸収ピーク及び波数700乃至800の間にある吸収ピークを含む、前記戻ってきた信号のうちのスペクトル内容を切り出すステップと、前記戻ってきた信号のうちのスペクトル内容を校正スペクトルと比較して前記埋設された領域の頂部の深さを決定するステップと、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 P
, G01B 11/02 Z
