半導体不良解析システムおよび方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260844
特許番号：特許第3771074号
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体素子の電気テスト結果と不良要因を対応づけした判定表と、前記判定表に基づいて前記半導体素子の不良要因を特定する手段と、前記判定表に含まれない電気テスト結果の組み合わせを自動的に追加する手段とを少なくとも具備することを特徴とする半導体不良解析システム。

IPC (1件)：