半導体基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326935
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144274
特許番号：特許第3632531号
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも主面が鏡面研磨された第1の半導体基板よりなるベースウェハ(1)と、少なくとも主面が鏡面研磨された第2の半導体基板よりなるボンドウェハ(2)とを用意し、前記ベースウェハ及び前記ボンドウェハのうち少なくともいずれか一方の主面および端部に酸化膜(3)を形成する工程と、前記ベースウェハ及び前記ボンドウェハの主面同士が向かい合うように、前記酸化膜を介して前記ベースウェハ及び前記ボンドウェハを結合させ結合ウェハを形成する工程と、前記結合ウェハのうち前記ボンドウェハ側の裏面を平面研削および鏡面研磨して所定のSOI層厚さにする工程と、を含む貼り合わせSOIウェハの製造方法において、前記結合工程を終了した後に、前記ベースウェハ及び前記ボンドウェハのうち少なくともいずれか一方の端部に形成された前記酸化膜を希フッ酸にて除去する工程と、この酸化膜を除去する工程の後に、前記結合ウェハの端部にベベリング処理を施す工程とを有し、さらに、前記酸化膜を形成する工程では、前記ベースウェハ及び前記ボンドウェハのうち少なくともいずれか一方の裏面にも前記酸化膜を形成し、前記酸化膜を除去する工程では、前記裏面に形成された前記酸化膜を残すことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-252248 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開平3-087012
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-325533 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

特開平3-087012
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-252248 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開平3-087012

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