特許

J-GLOBAL ID：201103037369606454

窒化物半導体素子

発明者： 谷沢 公二 ,  三谷 友次 ,  丸居 宏充
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330279
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168390
特許番号：特許第3427265号
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、前記n型窒化物半導体は、AlgGa1-gN(0≦g≦0.2)からなるn型コンタクト層と、GaN層とInpGa1-pN(0<p<1)層とが積層されてなるn型多層膜層と、前記n型コンタクト層と前記n型多層膜層との間にアンドープGaNからなる下層及びn型不純物がドープされたGaNからなる中間層を有するn側第1多層膜層とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/10 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-039345   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-154708   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-293580   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-039345   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-154708   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-293580   出願人：ソニー株式会社