特許
J-GLOBAL ID：200903002574092289
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116234
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 特性が良好で、信頼性が高く、かつ長寿命の半導体発光素子などの半導体装置を提供する。【解決手段】 II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、p側電極5が設けられるp型ZnTeコンタクト層3中に金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層として例えばp型Znx Cd1-x Sey Te1-y (0≦x≦1.0、0≦y≦0.875)層4を設ける。この金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層としては、p型ZnSe層やp型Znx Cd1-x Sy Te1-y(0≦x≦1.0、0≦y≦0.58)層を用いてもよい。また、GaN系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子においては、p側電極が設けられるp型GaN層中に金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層として例えばp型GaN/AlGaN超格子層を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体層と、上記半導体層上の金属電極とを有する半導体装置において、上記半導体層中に上記半導体層と異種の半導体からなる金属拡散および/または結晶欠陥伝播防止層が少なくとも一層設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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