特許
J-GLOBAL ID：200903081169242599

半導体発光装置

発明者：
ジョン・レニー

ジョン・レニー について

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波多腰 玄一

波多腰 玄一 について

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笹沼 克信

笹沼 克信 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-039345
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242512
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】Inを含むMQW活性層とガイド層との界面に生じる格子不整合を緩和し、低しきい値電流密度、低電圧動作の半導体発光装置を提供する。【解決手段】活性層とガイド層との界面近傍において活性層を構成する井戸層のIn組成を下げることにより、MQW活性層の発光効率を高める歪み緩和層を形成することができる。また活性層とガイド層との界面近傍において活性層を構成すると障壁層のIn組成を下げた組成変調層を導入することにより、界面近傍での井戸層と障壁層のバンドギャップ差を活性層中心領域のバンドギャップ差より大としてキャリアオーバーフロー効果を防止し、GaN系レーザ装置のしきい値電流密度と動作電圧を低減することができる。さらに本発明を用いればAlGaNキャップ層のAl組成を低組成にできるため、キャップ層による動作電圧の増加を最小にすることができる。
請求項（抜粋）：
障壁層と井戸層とが交互に積層された超格子からなる活性層を有する半導体発光装置において、前記超格子からなる活性層は、前記超格子の中央部の障壁層及び井戸層とは少なくとも組成及び厚さのいずれかが異なる、少なくとも1つの障壁層及び井戸層のいずれかを終端部に含むものであることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (16件)
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