特許
J-GLOBAL ID：201103037746188271
メモリセルのシリンダ型ストレージキャパシタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168254
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012808
特許番号：特許第4001440号
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の上部面に拡散領域を持つMOSFETの構造を形成する段階と、
前記半導体基板の上部面に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記拡散領域が露出するように前記第1絶縁膜の選択領域にコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホール内に伝導性プラグを形成する段階と、
前記伝導性プラグを含む前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を蒸着する段階と、
前記伝導性プラグを露出させるコンタクト開口部を前記第2絶縁膜の指定された領域に形成する段階と、
前記伝導性プラグに電気的に接触して前記コンタクト開口部内にシリンダ型構造のストレージ電極用多結晶シリコン層を形成する段階と、
前記ストレージ電極用多結晶シリコン層の内部面と上部面にだけ半球形粒子シリコンを成長させる段階と、
前記第2絶縁膜を除去して前記ストレージ電極用多結晶シリコン層の外側を露出させる段階と、
前記ストレージ電極用多結晶シリコン層の内部面と上部面及び外側面上に誘電体膜を形成する段階と、
前記誘電体膜上にプレート電極用多結晶シリコン層のパターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とするメモリセルのシリンダ型ストレージキャパシタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
