特許
J-GLOBAL ID：200903060311252532

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松井 泰志

松井 泰志 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151780
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008242
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 ストレージノードの機械的強度を高める。【構成】 スタックドキャパシタ16の一方電極に相当するストレージノード57は、筒状部56と、この筒状部56を縦断し筒状部56の対向する内側面を連結する板状の架橋部52とを有している。架橋部52は筒状部56の補強材として機能するために、ストレージノード57の機械的強度が高くなる。また、架橋部52が加わることで、ストレージノード57の表面積が増大するのでキャパシタ16の容量も増大する。【効果】 ストレージノードの機械的強度が高まるとともに、スタックドキャパシタの容量が増大する。
請求項（抜粋）：
スタックドキャパシタを有する半導体装置において、前記スタックドキャパシタの一方電極であるストレージノードが、筒形状を成す筒状部と、当該筒状部を縦断し当該筒状部の対向する内側面を連結する板状の架橋部とを、有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C
引用特許：
審査官引用 (10件)
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