特許
J-GLOBAL ID：201103038051144911
不揮発性メモリー装置及びそのプログラム方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-105041
公開番号（公開出願番号）：特開2011-238344
出願日： 2011年05月10日
公開日（公表日）： 2011年11月24日
要約：
【課題】共通ソースラインのノイズを減少させる不揮発性メモリー装置及びその読出し方法が提供される。【解決手段】本発明の実施形態による不揮発性メモリー装置は、選択検証動作と順次検証動作で構成されたプログラム検証動作を実行する。選択検証動作において、データ入出力回路は、格納されたデータの臨時プログラム状態にしたがって、該当ビットラインを選択的にプリチャージする。順次検証動作において、データ入出力回路は先に実行された選択検証動作、又は先に実行された順次検証動作結果によって、各々のビットラインを選択的にプリチャージする。本発明の実施形態による不揮発性メモリー装置のプログラム検証方法によれば、プログラム検証を必要としないメモリーセルは、プログラム検証動作の時プリチャージできないためにオンセル電流が流れない。したがって、共通ソースラインに流れる電流を減少させることができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
複数のメモリーセルを複数の目標プログラム状態にプログラムする不揮発性メモリー装置のプログラム方法において、
プログラム電圧を印加する段階と、
前記複数の目標プログラム状態の中で一部の目標プログラム状態にプログラムされるメモリーセルを選択するための選択検証動作を実行する段階と、
前記選択されたメモリーセルのビットラインをプリチャージしてプログラム可否を判断するための順次検証動作を実行する段階とを含むことを特徴とするプログラム方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 611A
, G11C17/00 611E
, G11C17/00 633C
, G11C17/00 634B
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA14
, 5B125CA15
, 5B125DB09
, 5B125DB12
, 5B125DB18
, 5B125EA05
, 5B125ED09
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA10
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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