メタライズAlN基板

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：波多野久 , 関口俊三 , 猿渡章雄 , 河村修 , 山田毅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271931
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080287
特許番号：特許第4649026号
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】AlN基板と、このAlN基板の表面に形成され、タングステンおよびモリブデンのいずれかの高融点金属を主成分とし厚さが10〜30μmのメタライズ層と、このメタライズ層の表面に形成されたニッケルめっき層とを備え、前記メタライズ層の厚さ方向を長辺とする縦、横、高さがそれぞれ5μm、5μm、10μmである直方体を単位体積とした場合に、この単位体積あたりに3〜10個の割合で最大径が0.3〜5μmのAlN粒子がメタライズ層中に分散しており、前記メタライズ層の表面の任意の2ヶ所の測定点で測定した抵抗値の差が、10mΩ/□以下であることを特徴とするメタライズAlN基板。

IPC (2件)：