特許

J-GLOBAL ID：201103038131586834

半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法

発明者： 松木 信雄 ,  森貞 佳紀 ,  内藤 雄一 ,  松野下 綾
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160726
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349083
特許番号：特許第3197007号
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】プラズマ処理によって半導体基板上にシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法であって,半導体基板が設置されるところのプラズマCVD処理用の反応チャンバ内に材料ガスを導入する工程であって,前記材料ガスは2つのアルコキシ類若しくはそれより少ないアルコキシ類を有するか,または全くアルコキシ類を有しないシリコン系炭化水素から成る工程と,半導体基板上に比誘電率を有するシリコン重合体膜を形成するために,材料ガスを含む反応ガスが存在するところの反応チャンバ内でプラズマ重合反応を活性化させる工程と,シリコン重合体膜の比誘電率が所定の値より小さくなるまで,反応チャンバ内の材料ガスの滞留時間を延ばすべく反応ガスの流量を制御する工程と,から成る方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/312 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低誘電率の絶縁膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-278460   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• シリコン酸化膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331030   出願人：東亞合成化学工業株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006381   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所