特許
J-GLOBAL ID：201103038334622232
半導体層成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180904
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080298
特許番号：特許第3929017号
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 分子線エピタキシーによって窒化物半導体層を成長させる方法であって、
a)成長チャンバ(10)内に配置されるGaN基板(S)を少なくとも850°Cの基板温度まで加熱する工程と、
b)分子線エピタキシーによって、少なくとも850°Cの基板温度で、窒化物半導体層を該GaN基板上に成長させる工程であって、該窒化物半導体層の成長の間、アンモニアガスが該成長チャンバ(10)に供給される工程と、
を包含し、
工程a)の間、該基板温度が800°Cに達する前に、該アンモニアガスの成長チャンバへの供給を開始する工程をさらに包含する、
方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 23/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, C30B 23/08 M
, H01L 21/203 M
