特許
J-GLOBAL ID：201103038491883546
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-169000
公開番号（公開出願番号）：特開2002-049153
特許番号：特許第3285854号
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 [化1]の一般式で表わされるユニットを有し且つ酸により分解するベース樹脂と、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有するポジ型の化学増幅型レジスト材料からなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に1nm帯〜30nm帯又は110〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。;;化1::但し、[化1]の一般式において、R0 はアルキル基であり、R2 は酸より分解する基であり、R3 及びR4 は、同種又は異種であって、水素又は水素及び炭素を含む基である。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601
, C08F 12/22
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, C08F 12/22
, C08K 5/00
, C08L 25/18
, H01L 21/30 502 R
