特許
J-GLOBAL ID：201103038630507236

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
大谷 久

大谷 久 について

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浜谷 敏次

浜谷 敏次 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320346
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208778
特許番号：特許第4641581号
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】活性層と、前記活性層上に接して設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して設けられたゲート配線とをそれぞれ有するNチャネル型TFT及びPチャネル型TFTによって構成されたCMOS回路を含む半導体装置であって、 前記Nチャネル型TFTのみ前記ゲート配線の側部にサイドウォールを有し、 前記Nチャネル型TFTの前記活性層は、第1チャネル形成領域と、前記第1チャネル形成領域と隣接する第1不純物領域と、前記第1不純物領域と隣接する第2不純物領域と、前記第2不純物領域と隣接する第3不純物領域とを有し、 前記第1チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を介して前記Nチャネル型TFTの前記ゲート配線と重なっており、 前記第1不純物領域は前記ゲート絶縁膜を介して前記サイドウォールと重なっており、 前記第2不純物領域に含まれる15族に属する元素の濃度は、前記第1不純物領域に含まれる前記15族に属する元素の濃度よりも高く、 前記第3不純物領域に含まれる前記15族に属する元素の濃度は、前記第2不純物領域に含まれる前記15族に属する元素の濃度よりも高く、 前記Pチャネル型TFTの前記活性層は、第2チャネル形成領域と、前記第2チャネル形成領域と隣接する第4不純物領域と、前記第4不純物領域と隣接する第5不純物領域とを有し、 前記第2チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を介して前記Pチャネル型TFTの前記ゲート配線と重なっており、 前記第4不純物領域及び前記第5不純物領域は同一濃度で13族に属する元素を含み、 前記第3不純物領域及び前記第5不純物領域には、前記活性層の結晶化に用いた触媒元素が1×1017〜1×1020atoms/cm3の濃度で含まれることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 Z
引用特許：
出願人引用 (3件)

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