特許
J-GLOBAL ID：200903053552774525
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311023
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208777
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 NTFTの活性層をチャネル形成領域102、第1不純物領域103、第2不純物領域104及び第3不純物領域105で形成する。この時、各不純物領域の不純物濃度はチャネル形成領域102から遠くなるほど高くなるように設けられる。さらに、第1不純物領域102はサイドウォール108と重なるように配置され、サイドウォール108を電極として機能させることで実質的なゲートオーバーラップ構造を実現する。
請求項（抜粋）：
活性層、該活性層の上に絶縁膜を介して設けられた配線及び該配線の側部に設けられたサイドウォールを有するTFTを含む半導体装置であって、前記活性層は、チャネル形成領域及び異なる濃度で同一の不純物を含む少なくとも三種類の不純物領域を含み、前記少なくとも三種類の不純物領域のうち、前記チャネル形成領域と接する不純物領域は、前記絶縁膜を介して前記サイドウォールと重なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1365
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/08 331
H01L 29/78 616 A
, H01L 27/08 331 E
, G02F 1/136 500
, H01L 27/08 321 C
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 627 G
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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