特許

J-GLOBAL ID：201103038975644066

電力用半導体装置

発明者： 川口 雄介 ,  河野 孝弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-019692
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159763
出願日： 2010年01月29日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】 高耐圧を維持しながらオン抵抗を低減した電力用半導体装置を提供する。【解決手段】n+型ソース層4の表面からp型ベース層3を通りn-型ドリフト層2へ至るトレンチ6が形成され、このトレンチ6内にゲート絶縁膜を介してゲート電極9が埋め込まれたトレンチゲート型の半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が、前記トレンチ6の前記n-型ドリフト層2で形成される底面及び側面上に形成された第1の誘電率を有する第1の絶縁膜と、前記トレンチ6の前記p型ベース層3で形成された側面及び前記トレンチ6の前記n+型ソース層4で形成された側面上に形成された第2の誘電率を有する第2の絶縁膜からなり、第1の誘電率より第2の誘電率が大きいことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、 第1半導体層の第1主面上に形成された第1半導体層よりも不純物濃度が低い第1導電型の第2半導体層と、 前記第2半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型の第3半導体層と、 前記第3半導体層の表面に選択的に形成された第1導電型の第4半導体層と、 前記第4半導体層と接し前記第4半導体層の表面から前記第3半導体層を通り前記第2半導体層へ至るトレンチの、前記第2半導体層で形成される底面及び側面上に形成された第1の誘電率を有する第1の絶縁膜と、 前記トレンチの前記第3半導体層で形成された側面及び前記トレンチの前記第4半導体層で形成された側面上に形成され、前記トレンチの前記第2半導体層で形成された側面上で前記第1の絶縁膜と接続し、第1の誘電率より大きい第2の誘電率を有する第2の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜を介して前記トレンチ内に埋め込まれたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、 前記第1主面と反対側の前記第1半導体層の第2主面上に電気的に接続した第1主電極と、 前記第4半導体層の表面上及び前記層間絶縁膜上に形成され、前記第3半導体層と前記第4半導体層に電気的に接続し、前記層間絶縁膜により前記ゲート電極とは絶縁された第2主電極と、 を具備することを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 653B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-294316   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-144730   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-306551   出願人：トヨタ自動車株式会社