半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-306551
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129973
出願日： 2008年12月01日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

【課題】高い耐圧と低いオン抵抗を兼ね備えた縦型の半導体装置を提供する。【解決手段】縦型のパワーMOS100は、第2導電型のボディ領域14と第1導電型のドリフト領域4とトレンチ11と第2導電型の不純物含有領域6とゲート電極12と浮遊電極8を備えている。不純物含有領域6は、トレンチ11の底面11aを囲む範囲に配置されている。不純物含有領域6の中心D2は、ドリフト領域4の中間深さD3より深い位置に配置されている。ゲート電極12は、トレンチ11内に配置されており、壁面が絶縁膜22で被覆されており、ボディ領域14の底面14aより深い位置まで伸びている。浮遊電極8は、トレンチ11内のゲート電極12より深い位置に配置されており、壁面が絶縁膜22で被覆されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に表面電極が配置されており、前記半導体基板の裏面に裏面電極が配置されている縦型の半導体装置であり、前記半導体基板の表面側に配置されている第2導電型のボディ領域と、前記半導体基板内の前記ボディ領域より深い位置に配置されている第1導電型のドリフト領域と、前記半導体基板の表面から前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するまで伸びているトレンチと、そのトレンチの底面を囲む範囲に配置されている第2導電型の不純物含有領域と、前記トレンチ内に配置されており、壁面が絶縁膜で被覆されているとともに、前記ボディ領域の底面より深い位置まで伸びているゲート電極と、前記トレンチ内の前記ゲート電極より深い位置に配置されており、壁面が絶縁膜で被覆されている浮遊電極を備えており、前記不純物含有領域の中心が、前記ドリフト領域の中間深さより深い位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (8件)：

H01L29/78 653C , H01L29/78 653A , H01L29/78 652H , H01L29/78 652J , H01L29/78 658A , H01L29/78 658F , H01L29/78 658D , H01L29/58 G

Fターム (9件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD45 , 4M104DD63 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104GG09 , 4M104GG18

引用特許：

出願人引用 (6件)

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-349806 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
パワー半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-547577 出願人：フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション
高周波MOSFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-174592 出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド

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審査官引用 (5件)

パワー半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-547577 出願人：フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション
高周波MOSFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-174592 出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-019066 出願人：ローム株式会社

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