特許
J-GLOBAL ID：201103039101672171
半導体装置、電気光学装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357735
特許番号：特許第3666305号
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層と、前記半導体層上を覆うように形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の配線と、前記第1の配線を覆うように前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の配線と、前記半導体層のソース領域又はドレイン領域と前記第1の配線と前記第2の配線とを前記第1及び第2の絶縁膜を貫通するひとつのコンタクトホールを介して導通する導通部とを具備する半導体装置において、 前記第1の配線は、前記半導体層のソース領域またはドレイン領域の一部を覆う領域を有すると共に前記半導体層のチャネル領域と交差するゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/768
, G02F 1/1368
, G09F 9/30
, H01L 21/28
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 29/861
H01L 21/90 D
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 348 A
, G09F 9/30 365 C
, H01L 21/28 L
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 622
, H01L 29/91 L
