バイアス回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 手島勝 , 藤田篤史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346363
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210723
特許番号：特許第3686327号
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のエミッタと、第1のベースと、第1のコレクタとを有する第1のバイポーラトランジスタと、第2のエミッタと、第2のベースと、第2のコレクタとを有し、上記第1のバイポーラトランジスタの上記第1のベースに上記第2のエミッタが接続された第2のバイポーラトランジスタと、上記第2のバイポーラトランジスタの上記第2のベースと上記第1のバイポーラトランジスタの上記第1のエミッタとを接続する少なくとも1個のショットキーダイオードとを備えていることを特徴とするバイアス回路。

IPC (10件)：

H01L 21/8222 , H01L 21/331 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 29/205 , H01L 29/47 , H01L 29/73 , H01L 29/872 , H03F 1/30

FI (6件)：

H01L 27/06 101 D , H01L 29/205 , H03F 1/30 A , H01L 27/04 B , H01L 29/48 D , H01L 29/72 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

制御回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342259 出願人：テキサスインスツルメンツドイチェランドゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
複合半導体素子及びこれを使用した回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-119189 出願人：サンケン電気株式会社
複合回路部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250177 出願人：サンケン電気株式会社

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