特許
J-GLOBAL ID：201103039239510806
被固定層、スピンバルブ構造体およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369036
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174213
特許番号：特許第4104852号
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基体上に、シード層を形成する第1の工程と、
このシード層上に、ニッケル鉄合金(NiFe)層および第1のコバルト鉄合金(CoFe)層がこの順に積層された積層体を含むフリー層を形成する第2の工程と、
このフリー層上に、銅(Cu)よりなるスペーサ層を形成する第3の工程と、
このスペーサ層上に、1.0nm以上1.5nm以下の厚みの第2のコバルト鉄合金層と、0.3nm以上0.4nm以下の厚みのニッケルクロム合金(NiCr)層と、0.5nm以上0.7nm以下の厚みの第3のコバルト鉄合金層とがこの順に積層された積層体を含む被固定層を、前記第2のコバルト鉄合金層の厚みが前記第3のコバルト鉄合金層の厚みの2倍となるように形成する第4の工程と、
この被固定層上に、固定作用層を形成する第5の工程と、
この固定作用層上に、保護層を形成する第6の工程と、
全体をアニールする第7の工程と
を含み、
前記第1の工程において、前記フリー層のうちの前記ニッケル鉄合金層との界面において伝導電子を鏡面反射させる材料を含むように、前記シード層を形成する
ことを特徴とするスピンバルブ構造体の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G01R 33/09 ( 200 6.01)
, G11B 5/39 ( 200 6.01)
, H01F 10/28 ( 200 6.01)
, H01F 10/32 ( 200 6.01)
, H01L 43/12 ( 200 6.01)
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
, G11B 5/39
, H01F 10/28
, H01F 10/32
, H01L 43/12
