特許

J-GLOBAL ID：201103039710185864

ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

発明者： 上野 勝典 ,  斎藤 明
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099689
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294804
特許番号：特許第4006879号
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一導電型半導体層の表面にショットキー接合を形成する金属のアノード電極を配置し、第一導電型半導体層の裏面側にオーミックなカソード電極を設けたショットキーバリアダイオードにおいて、アノード電極の下方の前記第一導電型半導体層の異なる二つ以上の深さに、逆バイアス時に空乏層が連続するような間隔で第二導電型埋め込み領域が形成され、隣接する上下の第二導電型埋め込み領域が平面図上で互いにずらされており、かつ一部の第二導電型埋め込み領域の上部に、第二導電型埋め込み領域とアノード電極とを接続する第二導電型コンタクト領域を有し、全ての第二導電型埋め込み領域をアノード電極と同電位とすることを特徴とするショットキーバリアダイオード。

IPC (4件)：

H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 E ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-138754
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236338   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-261132   出願人：新電元工業株式会社