フッ素樹脂膜の形成方法および半導体装置並びにその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上柳雅誉 , 須澤修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170264
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357685
特許番号：特許第3584785号
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空容器内に気体状パーフルオロカーボンを導入して真空放電を発生させ、前記気体状パーフルオロカーボンを重合させて基材表面に重合膜を形成するフッ素樹脂膜の形成方法であって、前記パーフルオロカーボンは、炭素数が8以上の直鎖状であることを特徴とするフッ素樹脂膜の形成方法。

IPC (2件)：