特許
J-GLOBAL ID:201103040104319063

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-020711
公開番号(公開出願番号):特開2000-223739
特許番号:特許第4184521号
出願日: 1999年01月28日
公開日(公表日): 2000年08月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 単結晶基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極をそれぞれ接続して設けた半導体発光装置において、前記逆導電型半導体層をAlxGa1-xAsからなる発光層とAlyGa1-yAsからなるクラッド層とGaAsからなるオーミックコンタクト層と、このクラッド層とオーミックコンタクト層との間に設けられたAlzGa1-zAsから成るキャップ層とで形成するとともに、前記キャップ層は、前記オーミックコンタクト層と合わせた厚みが0.15μm以上であり、アルミニウム組成比zが前記クラッド層のアルミニウム組成比yよりも大きいことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 光プリンター光源
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-089703   出願人:株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
  • 半導体発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-034611   出願人:京セラ株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-309071   出願人:シヤープ株式会社
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審査官引用 (8件)
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