特許
J-GLOBAL ID：201103040607829115
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253992
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090680
特許番号：特許第3762114号
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 コントロールゲート、フローティングゲート、ソース及びドレインをそれぞれ有する複数のメモリセルと、
上記複数のメモリセルのコントロールゲートに接続された複数のワード線と、
上記複数のメモリセルのドレインに接続された複数のビット線と、
上記複数のメモリセルのソースに共通に接続され、かつ上記複数のメモリセルが形成されている半導体領域に接続されたソース線と、
上記複数のメモリセルに対してデータを書き込むための書き込み手段と、
上記複数のメモリセルからデータを読み出すための読み出し手段と、
上記複数のメモリセルのデータを消去するための消去手段とを具備し、
上記複数のワード線のうち少なくとも1つが上記半導体領域に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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