特許
J-GLOBAL ID：201103040619737143

光起電力装置の製造方法及び光起電力装置

発明者：
山本 恵章

山本 恵章 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022506
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231979
特許番号：特許第4131616号
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁性表面を有する透光板の一面に、透明導電膜分割溝によって互いに分割された複数の透明導電膜を形成し、前記透明導電膜分割溝を含んで前記透明導電膜上に、前記透明導電膜分割溝と隣り合って設けられた第1半導体層分割溝によって互いに分割されてなり、水素を含有する第1半導体を用いてなる複数の第1半導体層を形成し、前記第1半導体層分割溝を含んで前記第1半導体層上に電極膜を形成し、前記第1半導体層分割溝に対する前記透明導電膜分割溝側とは反対側に、前記第1半導体層分割溝に隣り合って前記電極膜及び前記第1半導体層を分割する分割溝をエネルギービームを用いて形成する光起電力装置の製造方法において、 前記分割溝を含んで前記電極膜上に、前記第1半導体より水素の含有率が高い第2半導体を用いてなる第2半導体層を形成し、次いで、前記分割溝内及び該分割溝上の前記第2半導体層を除去すべく該第2半導体層にエネルギービームを前記分割溝に倣うようにして照射することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 31/04 S
引用特許：
出願人引用 (5件)
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