特許
J-GLOBAL ID：201103041013107167
不揮発性受動マトリックス装置および同装置の読み出し方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 祖父江 栄一
, 林 鉐三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-529782
特許番号：特許第3848620号
出願日： 2001年08月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ヒステリシスを呈している電気的に分極可能な誘電記憶材料(12)、特に強誘電性材料を含む不揮発性受動マトリックス記憶装置(10)であって、前記記憶材料(12)が、並列なアドレッシング電極の対応する第1の組と第2の組(14、15)の間の層に挟まれ、前記第1の組(14)の電極が前記記憶装置のワード線(WL1からWLm)を構成し、前記第2の組(15)の電極と実質的に直交する関係に置かれ、前記第2の組が、前記記憶装置のビット線(BL1からBLn)を構成し、蓄電器のような構造をした記憶セル(13)が前記ワード線と前記ビット線の交点において前記記憶材料(12)において定義され、前記記憶装置の前記記憶セル(13)が受動マトリックス(11)の構成要素を構成し、各前記記憶セル(13)を前記ワード線(WL)と前記ビット線(BL)を通して、書き込み/読み取り操作のために選択的にアドレスすることができ、前記記憶セルへの書き込み操作が、前記記憶セルを定義している対応する前記ワード線(WL)および前記ビット線(BL)を通して前記記憶セルに適用される電圧により前記記憶セル内に好ましい分極状態を確立することによって実行され、前記電圧が、前記記憶セルにおける分極状態を決定するかあるいは前記記憶セルの分極状態を交互に切り換えることができ、読み取り操作が、強制電圧VCより大きい電圧を前記記憶セルに適用し、前記ビット線(BL)上の出力電流の少なくともひとつの電気パラメータを検知することにより実行される、不揮発性受動マトリックス記憶装置(10)であって、前記ワード線(WL)が複数のセグメント(S)に分割され、当該各セグメントが前記マトリックス(11)における隣接する複数の前記ビット線(BL)を有しまたそれらによって定義され、前記セグメント(S)に割り当てられた各前記ビット線(BL)を対応する感知手段(26)に接続する手段(25)が備えられ、そのことにより前記セグメント(S)上の前記ワード線(WL)に割り当てられた全ての前記記憶セル(13)を前記セグメント(S)の対応する前記ビット線(BL)を通して読み出すために同時に接続することができ、各前記感知手段(26)が当該感知手段に接続するビット線(BL)における電荷の流れを感知するように適合され、前記ビット線によって定義された前記記憶セル(13)に記憶された論理値を決定することを特徴とする、不揮発性受動マトリックス記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/22 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
G11C 11/22 501 A
, G11C 11/22 501 F
, G11C 11/22 501 K
, H01L 27/10 444 C
