圧力センサとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-061918
公開番号（公開出願番号）：特開2011-196740
出願日： 2010年03月18日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】圧力センサとその製造方法において、従来よりも微小な領域の圧力を測定できるようにすること。【解決手段】チャンネルとしてグラフェン層3を備えたトランジスタTRと、トランジスタTRのゲート5上に片方の端部が接続された圧電材料を含むナノワイヤ8とを有する圧電センサ10による。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンネルとしてグラフェン層を備えたトランジスタと、前記トランジスタのゲート上に片方の端部が接続され、圧電材料を含むワイヤと、を有することを特徴とする圧力センサ。

IPC (11件)：

G01L 9/00 , H01L 41/08 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H01L 41/24 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , C01B 31/04 , C01G 9/02 , C01B 21/06

FI (13件)：

G01L9/00 309 , H01L41/08 Z , H01L41/08 D , H01L41/18 101Z , H01L41/22 Z , H01L41/22 A , H01L29/78 618B , H01L29/78 622 , H01L29/28 100 , H01L29/28 250E , C01B31/04 , C01G9/02 A , C01B21/06 A

Fターム (41件)：

2F055AA40 , 2F055BB19 , 2F055CC06 , 2F055DD05 , 2F055DD09 , 2F055EE23 , 2F055EE39 , 2F055FF11 , 2F055GG12 , 4G047AA02 , 4G047AB01 , 4G047AC01 , 4G047AD04 , 4G146AA02 , 4G146AB07 , 4G146AC01B , 4G146AD28 , 4G146BA02 , 4G146CB02 , 5F110AA30 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-001670 出願人：富士通株式会社
単結晶基板上にエピタキシャル成長したグラフェン層を含むデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-555294 出願人：アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド
特開昭58-164271

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