含フッ素重合体、およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：森島なるみ , 渡辺喜平 , 江森健二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361627
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172327
特許番号：特許第4239336号
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記(I)および(II)の構造単位: (I)下記一般式(1)で表される含フッ素構造単位 (II)ラジカル形成基を含む構造単位 [一般式(1)中、R1〜R4は、相互に独立であって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アリール基、またはOR5で表わされる基(R5は、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルフルオロアルキル基、フルオロアルコキシカルボニルアルキル基、またはフルオロアルコキシカルボニルフルオロアルキル基である。)であり、R1〜R4のうち少なくとも1つは、フッ素原子またはフッ素原子を含む基である。] を含む含フッ素共重合体であって、下記(A)成分および(B)成分: (A)イソシアネート反応性基を有する含フッ素重合体であって、上記一般式(1)で表わされる構造単位を有する含フッ素重合体 (B)イソシアネート基およびラジカル形成基を有する化合物を反応してなることを特徴とする含フッ素共重合体。

IPC (3件)：

C08F 14/18 ( 200 6.01) , C08G 71/00 ( 200 6.01) , C08G 77/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C08F 14/18 , C08G 71/00 , C08G 77/00

引用特許：

出願人引用 (13件)

特開平3-179010
フォトレジスト組成物のための反射防止膜
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-510064 出願人：クラリアント・インターナショナル・リミテッド
特開平1-247448

全件表示

審査官引用 (19件)

特開昭55-127416
特開平3-179010
特開平3-179010

全件表示

前のページに戻る