特許
J-GLOBAL ID:201103041479470202
固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-272442
公開番号(公開出願番号):特開2011-114325
出願日: 2009年11月30日
公開日(公表日): 2011年06月09日
要約:
【課題】工程数を増加することなく、信頼性の高い絶縁層を有する固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】受光した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子を有する半導体層20と、半導体層20に形成された開口部に絶縁材料が埋め込まれて形成された絶縁層29と、絶縁層29を被覆するように半導体層20の表面側に形成された保護膜30,31とから固体撮像装置1を構成する。絶縁層29を被覆するように保護膜30,31を形成することにより、絶縁層29が、絶縁層29の形成後の工程において半導体層20表面側で不要に除去されることが無い。【選択図】図2
請求項(抜粋):
受光した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子を有する半導体層と、
前記半導体層に形成された開口部に絶縁材料が埋め込まれて形成された絶縁層と、
前記絶縁層を被覆するように、前記半導体層の表面側に形成された保護膜と、
を含んで構成される固体撮像装置。
IPC (3件):
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H04N 5/335
FI (3件):
H01L27/14 A
, H01L27/14 D
, H04N5/335 U
Fターム (17件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA28
, 4M118GA02
, 4M118GA10
, 4M118GB09
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 4M118HA30
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024EX25
, 5C024GX24
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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