TFT基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：家入健 , 岩瀬康弘 , 須藤雄一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-171984
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029310
出願日： 2009年07月23日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】生産性及び性能が向上したTFT基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明にかかるTFT基板は、厚膜部及び厚膜部よりも膜厚が薄い薄膜部を有するゲート電極2と、厚膜部上及び薄膜部上に形成された半導体能動膜7と、半導体能動膜の内側であって、厚膜部より外側の薄膜部に対応する半導体能動膜7上に形成されたオーミックコンタクト膜8と、ソース電極9及びドレイン電極10を構成し、オーミックコンタクト膜8の内側に形成された電極膜30とを備えるものである。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

厚膜部及び前記厚膜部よりも膜厚が薄い薄膜部を有するゲート電極と、前記ゲート電極の前記厚膜部上及び前記薄膜部上に形成された半導体能動膜と、前記半導体能動膜の内側であって、前記厚膜部より外側の前記薄膜部に対応する前記半導体能動膜上に形成されたオーミックコンタクト膜と、ソース電極及びドレイン電極を構成し、前記オーミックコンタクト膜の内側に形成された電極膜とを備えるTFT基板。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/49 , H01L 29/423

FI (4件)：

H01L29/78 617L , H01L29/78 617K , H01L29/78 627C , H01L29/58 G

Fターム (52件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB16 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ03 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-290969
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-289356 出願人：キヤノン株式会社
配線基板の製造方法並びに配線基板及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-207976 出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社

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