特許
J-GLOBAL ID：201103042180409287
半導体処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258241
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085404
特許番号：特許第4580486号
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 プラズマ生成部に電界を発生するコイル状のアンテナと、
該コイル状のアンテナの給電部に2本の給電線を介して高周波電力を供給するための高周波電源と、
前記高周波電源と前記給電線の間にあって前記アンテナのインピーダンスを高周波電源の出力インピーダンスとマッチングさせるためのマッチングボックスと、
真空雰囲気を提供するために前記プラズマ生成部を取り囲む非導電性材料でできたチャンバと、
該チャンバ内に中性ガスを供給するガス供給装置と、
前記チャンバ内のガスを排気する排気装置と、
処理される半導体基板を置くための電極と、該電極に高周波電界を印加するための高周波電源を備え、
前記アンテナが発生する電界により電子を加速して前記中性ガスを衝突電離することにより前記プラズマ生成部にプラズマを発生させ前記半導体を処理する半導体処理装置において、
前記アンテナが前記チャンバの外側に周方向に巻かれた1ターンコイル状アンテナであり、
前記アンテナは、前記2本の給電線の1つに接続された第1の巻線と前記2本の給電線の他の1つに接続された第2の巻線を含み全体として1ターンの巻き線で構成されており、
前記第1の巻線は前記1ターンの全周を回るよりは短く、該全周に至るための周方向隙間を有限長残し、かつ、前記第2の巻線よりも長く、
前記第2の巻線は周方向に重なる部分が無く、かつ、前記第1の巻線の周方向隙間よりも長く、
該第1、第2の巻線は、前記アンテナの給電部付近で互いに周方向に重なることにより、該第1、第2の巻線の周方向の長さの合計が一周よりも長く、
前記1ターンの巻線が、前記チャンバの外側の同一平面内の半径方向内側の前記第1の巻線と、外側の前記第2の巻線とで構成されており、
前記第2の巻線は前記第1の巻線に比べて前記プラズマ生成部のプラズマから遠い位置にある
ことを特徴とする半導体処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302
, H01L 21/205
, H05H 1/46 L
