半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025080
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231931
特許番号：特許第3551153号
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】コレクタ領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して前記コレクタ領域と同一導電型のエミッタ領域および前記コレクタ領域とは反対導電型のベース領域が形成された電流駆動型の半導体装置において、前記主面に接しかつ前記エミッタ領域および前記ベース領域に接しない前記反対導電型のカソード領域が形成され、前記カソード領域が前記エミッタ領域と同電位に保たれ、前記カソード領域が前記エミッタ領域および前記ベース領域を囲むように環状をなしており、前記ベース領域とベース電極とがコンタクトするベースコンタクトホールと、前記カソード領域とカソード電極とがコンタクトするカソードコンタクトホールとの距離を前記ベース領域から前記コレクタ領域に導入された少数キャリアの拡散長よりも大きくしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/417 , H01L 29/732 , H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/72 P , H01L 29/50 B , H01L 29/80 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-123262
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-096432 出願人：株式会社豊田自動織機製作所
特開昭61-107773

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