半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-267680
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158187
特許番号：特許第4301751号
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に銅を含有した第1導電層を形成する工程と、前記第1導電層の表面に炭素を含有した物質を供給する工程と、前記物質に由来した炭素が残留する前記第1導電層の表面に第2導電層を形成する工程とを含み、前記第1導電層を形成する工程の前に前記半導体基板上に第1絶縁層を形成する工程と、前記第1導電層上に第2絶縁層を形成する工程と、前記第2絶縁層をパターニングして前記第1導電層の表面の一部を露出させる工程とをさらに含み、前記半導体基板上に前記第1導電層を形成する工程は前記半導体基板と前記第1導電層との間に前記第1絶縁層を介在させて行われ、前記炭素を含有した物質を供給する工程と前記第2導電層を形成する工程とは前記第1導電層の表面の一部を露出させる工程の後に行われ、前記物質を供給する工程は、前記第1導電層の前記表面に炭素を含有した雰囲気中でレーザビームを照射することを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 23/52 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 M

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-064233
特開平4-350937
集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-288965 出願人：川崎製鉄株式会社

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審査官引用 (6件)

特開平4-350937
特開平4-064233
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-320934 出願人：日本電気株式会社

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