半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤幸男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169062
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357747
特許番号：特許第4398010号
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の各活性領域にそれぞれが対応して形成された各同じ導電型の電界効果型トランジスタであってその導電型に応じてソース・ドレイン領域のための不純物分布を相互に異にする電界効果型トランジスタを備える半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の前記各活性領域上に形成されたゲート酸化膜上に、前記トランジスタのためのゲートをそれぞれ形成すること、該ゲートおよび前記ゲート酸化膜を覆うエッチングストッパ膜を形成すること、前記両トランジスタのための前記ゲートに関連して、前記各トランジスタのうち、より深い不純物分布および長いゲート長を必要とする一方の前記トランジスタに適した厚さ寸法のサイドウオール部を前記エッチングストッパ膜上に形成すること、前記一方のトランジスタのための前記活性化領域に、前記サイドウオール部をマスクとして、ソース・ドレインのための不純物を注入し、該不純物の拡散のために前記半導体基板に熱処理を施すこと、該熱処理後、エッチング処理により、前記ゲート下の前記ゲート酸化膜を前記エッチングストッパ膜で保護した状態で、少なくとも他方の前記ゲートに関連して設けられたサイドウオール部を除去すること、該サイドウオール部が除去された前記他方のトランジスタの活性領域に前記一方のトランジスタのための不純物注入におけるよりも浅く不純物を注入し、該不純物の拡散のために前記一方のトランジスタにおけるよりも低い温度で前記半導体基板に熱処理を施すことを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/08 102 B , H01L 21/265 602 A , H01L 27/08 102 A

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭51-147270
特開昭63-126279
特開昭52-106279

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審査官引用 (7件)

特開昭51-147270
特開昭63-126279
特開昭52-106279

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