特許
J-GLOBAL ID：201103042597553364
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145138
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200833
特許番号：特許第3322651号
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の配線を形成する前の平坦な下地面に、有機SOG、無機SOG、フルオロカーボン又はポリイミドからなる第1の絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜に、不活性ガスイオン、III b,IVb,Vb,VIb,VII b,IVa,Vaの各族の元素単体イオン、またはこれら元素の化合物イオンからなるグループから選択された少なくとも一つのイオンをイオン注入法を用いて導入する工程と、前記第1の絶縁膜に前記第1の配線を埋め込み形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に、前記第1の配線に通じるコンタクトホールを形成する工程と、少なくとも前記コンタクトホール内に、前記第1の配線に電気的に接続される第2の配線を形成する工程と、を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/265
, H01L 21/316
H01L 21/316 G
, H01L 21/316 X
, H01L 21/90 K
, H01L 21/90 S
, H01L 21/265 Y
