窒化物半導体レーザ素子

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-095129
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294875
特許番号：特許第3656454号
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】活性層上に形成された第1のp型窒化物半導体層の上に、SiONから成り、且つストライプ状の開口部を有する第1の絶縁膜が形成され、さらに前記開口部より第2のp型窒化物半導体層が選択成長されることによって、該第2のp型窒化物半導体にリッジが形成されており、前記リッジの側面および前記第1の絶縁膜表面にはZrO2、又はSiO2から成る第2の絶縁膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：