特許
J-GLOBAL ID：201103043009892570

半導体装置

発明者：
大黒 達也

大黒 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398386
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197759
特許番号：特許第3631464号
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板と、前記半導体基板の表面領域に形成された第1導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に形成された複数の素子分離領域と、前記素子分離領域により分離された前記ウェル領域の第1の領域内に前記素子分離領域に接して形成され、コンデンサの第1の電極としての第2導電型の半導体層と、前記素子分離領域により分離された前記ウェル領域の第2の領域内に前記素子分離領域に接して形成され、コンデンサの第2の電極としての第1導電型の半導体層と、前記ウェル領域の底部に設けられ、前記素子分離領域により分離された前記第1、第2の領域を接続し、前記第2導電型の半導体装置と前記ウェル領域との間の接合部分の空乏層及び前記第1導電型の半導体層と前記ウェル領域との間の接合部分の空乏層に接触せず、前記素子分離領域の底部に接触し、前記ウェル領域の抵抗値より低い抵抗値を有する第1導電型の低抵抗領域とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/93
FI (4件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 29/93 H ,  H01L 27/04 V ,  H01L 27/06 102 A
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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