特許
J-GLOBAL ID：201103043205908034
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288249
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111047
特許番号：特許第4164962号
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の導電型に形成された第1の半導体層(基板)と、
この第1の半導体層の上に設けられ第2の導電型に形成された第2の半導体層(バッファ層)と、
この第2の半導体層の上にこれよりも低い不純物濃度で前記第2の導電型に形成された第3の半導体層(中間層)と、
この第3の半導体層の上にこれよりも低い不純物濃度で前記第2の導電型に形成された第4の半導体層(ベース層)と、
この第4の半導体層の表面に設けられ前記第1の導電型に形成された第5の半導体層(ウェル層)と、
この第5の半導体層の表面に設けられ前記第2の導電型に形成された第6の半導体層(エミッタ層)と、
前記第5の半導体層の前記第4の半導体層と前記第6の半導体層との間の表面領域にチャンネルを形成するために設けられた絶縁ゲート構造とを有し、
前記第3の半導体層は、ブレークダウン時に前記第4の半導体層側から広がる空乏層が前記第2の半導体層に到達しないように、その不純物濃度が前記第4の半導体層の不純物濃度の2倍以上で且つ5倍以下の範囲で形成されていることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 655 A
