特許
J-GLOBAL ID:201103043392901919

太陽電池およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野河 信太郎
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-135589
公開番号(公開出願番号):特開2000-332267
特許番号:特許第3741565号
出願日: 1999年05月17日
公開日(公表日): 2000年11月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】裏面にマスク材が形成された半導体基板にPN接合を形成する工程と、半導体基板の裏面に裏面電極を形成する工程とを備え、マスク材は、PN接合の少なくとも一部を分離するとともに半導体基板の裏面で裏面電極と重ならない部位に形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件):
H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 31/04 H
引用特許:
出願人引用 (8件)
  • 特開平4-256374
  • 特開平2-033980
  • 太陽電池素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-317442   出願人:京セラ株式会社
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審査官引用 (14件)
  • 特開平4-256374
  • 特開平2-033980
  • 太陽電池素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-317442   出願人:京セラ株式会社
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