特許
J-GLOBAL ID：201103043889721906

半導体装置

発明者：
徳重 信明

徳重 信明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344933
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168338
特許番号：特許第3437132号
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に埋め込み絶縁膜を介して半導体層が形成されたSOI基板の半導体層にMOSトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、前記MOSトランジスタがNチャネル型MOSトランジスタとPチャネル型MOSトランジスタとであり、前記Nチャネル型MOSトランジスタの下方の半導体基板にはP型ウェルが形成され、前記Pチャネル型MOSトランジスタの下方の半導体基板にはN型ウェルが形成されてなり、前記MOSトランジスタにより構成される半導体回路の動作時には、前記P型ウェルに正のバイアス電圧が、前記N型ウェルに負のバイアス電圧がそれぞれ印加され、待機時には、前記P型ウェルに負のバイアス電圧が、前記N型ウェルに正のバイアス電圧がそれぞれ印加されてなる半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092
FI (6件)：
H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 626 B ,  H01L 27/08 321 B
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-125795   出願人：株式会社デンソー
  • 特開平2-211668
  • 特開平2-294076
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審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-125795   出願人：株式会社デンソー
  • 特開平2-211668
  • 特開平2-294076
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