特許
J-GLOBAL ID：201103043919687953

不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者：
北村 卓也

北村 卓也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032021
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232169
特許番号：特許第3314748号
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下部が半導体基板に埋め込まれると共に上部が前記半導体基板から突出した埋め込み絶縁膜を選択的に形成する工程と、前記半導体基板の表面に選択的に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、フローティングゲート用金属膜を全面に形成する工程と、第1の絶縁膜を全面に形成する工程と、コントロールゲート用第1の金属膜を全面に形成する工程と、前記埋め込み絶縁膜の上面が露出する迄表面を平坦化する工程と、前記フローティングゲート用金属膜及び前記コントロールゲート用第1の金属膜の表面に夫々第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜を第2の絶縁膜の方が第3の絶縁膜より膜厚が厚くなるように形成する工程と、前記第3の絶縁膜のみを完全に除去するように表面を平坦化する工程と、コントロールゲート用第2の金属膜を全面に形成する工程と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/10 434
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM