特許
J-GLOBAL ID：201103043984193305
半導体デバイスを形成する方法及びその方法によって製造される半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 宍戸 嘉一
, 竹内 英人
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243850
特許番号：特許第4567112号
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ESD領域及び内部領域を有する基板上に半導体デバイスを形成する方法であって、
ゲート電極を有する前記ESD領域の一部上に保護層を形成するステップと、
前記内部領域の少なくとも一部分上にシリサイドを形成するステップを有し、前記シリサイドを形成するステップは、前記保護層によって保護されない前記ESD領域の部分上にシリサイドを形成するステップを有し、前記保護層は、シリサイドの形成から前記ESD領域の前記一部を保護し、
残りの保護層が前記ESD領域にある前記ゲート電極に側壁スペーサを形成するように、前記保護層の一部を除去するステップ、
を有し、
前記保護層を形成するステップは、前記内部領域に含まれるゲート電極に側壁スペーサを形成するステップを有し、
前記半導体デバイスは、前記ESD領域の少なくとも一部にLDD構造を有することを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 27/08 102 F
, H01L 27/04 H
, H01L 29/78 301 K
