特許
J-GLOBAL ID：201103044043145933
窒化ガリウム系半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332288
特許番号：特許第3763701号
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第一のn型半導体層と、前記第一のn型半導体層上面に接して形成された第二のn型半導体層と、前記第二のn型半導体層上面に接して形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp型半導体層と、前記第一のn型半導体層上に形成された電極と、を具備し、前記第一のn型半導体層及び前記活性層はインジウムを含み、前記第二のn型半導体層はAlGaNからなることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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