特許

J-GLOBAL ID：201103044272346144

半導体装置の製造方法

発明者： 山川 博
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031215
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232092
特許番号：特許第3275306号
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上にポリイミド樹脂膜を形成するポリイミド樹脂膜形成ステップと、前記ポリイミド樹脂膜上の特定領域にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成ステップと、酸素プラズマアッシングにより前記フォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去ステップとを含む半導体装置の製造方法において、前記フォトレジスト膜形成ステップの前に、前記ポリイミド樹脂膜の表面部を硬化させるポリイミド樹脂硬化ステップを含み、前記ポリイミド樹脂硬化ステップでは、前記ポリイミド樹脂膜の表面を酸素プラズマに曝すことで前記ポリイミド樹脂膜の上層部を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/28 M ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/60 311 Z ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/90 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158916   出願人：住友電気工業株式会社
• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-116756   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-278851
  
• 特開平1-144632
  

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158916   出願人：住友電気工業株式会社
• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-116756   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-278851
  
• 特開平1-144632