薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242360
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183359
特許番号：特許第4332263号
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上にゲート電極を形成する段階; 前記ゲート電極を包含する基板上に、成膜チャンバー内に設置した高周波電極とこれと対峙させたサセプタ電極とを備えたプラズマCVD装置を用い、シランガスとアンモニアガスとの混合ガスを、40sccm/160sccm(SiH4/NH3)に、第1の励起電力を前記高周波電極に印加し、第1の基板バイアス電力を前記サセプタ電極に印加することにより形成される第1の高周波電界によってプラズマ化して前記ゲート電極と半導体能動膜との間の耐圧を向上させる第1の窒化ケイ素ゲート絶縁膜を基板上のゲート電極の上に形成する段階;及び、連続して、前記混合ガスと同一の組成の混合ガスを、第2の励起電力を前記高周波電極に印加し、第2の基板バイアス電力を前記サセプタ電極に印加することにより形成される第1の高周波電界より大きい第2の高周波電界によってプラズマ化して半導体能動膜との間の界面特性を向上させる第2の窒化ケイ素ゲート絶縁膜を前記第1の窒化ケイ素ゲート絶縁膜上に形成し、ついで該第2の窒化ケイ素ゲート絶縁膜上に半導体能動膜を形成する段階;を包含する薄膜トランジスタの製造方法において、前記第1の窒化ケイ素ゲート絶縁膜と前記第2の窒化ケイ素ゲート絶縁膜の成膜条件は、前記高周波電極に印加する40.68MHzの前記第1と第2の励起電力を600Wで一定とし、13.56MHzの前記第1と第2の基板バイアス電力を前記第1のゲート絶縁膜成膜時に0W(無印加状態)とし、第2のゲート絶縁膜成膜時に400Wとすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , G02F 1/1368 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 21/318 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 617 U , G02F 1/136 , H01L 29/78 617 V , H01L 21/316 X , H01L 21/318 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平2-244676
特開平4-006820
特開昭63-117469

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審査官引用 (8件)

特開平2-244676
特開平2-244676
特開平4-006820

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